Electron velocity overshoot in strained Si/Si1-xGexMOSFETs

  1. Gamiz, F.
  2. Lopez-Villanueva, J.A.
  3. Roldan, J.B.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Konferenzberichte:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9782863321966

Datum der Publikation: 1996

Seiten: 413-414

Art: Konferenz-Beitrag

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Datenquelle: Scopus