Electron velocity overshoot in strained Si/Si1-xGexMOSFETs
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Ano de publicación: 1996
Páxinas: 413-414
Tipo: Achega congreso
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Ano de publicación: 1996
Páxinas: 413-414
Tipo: Achega congreso