Electron velocity overshoot in strained Si/Si1-xGexMOSFETs
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Année de publication: 1996
Pages: 413-414
Type: Communication dans un congrès
ISSN: 1930-8876
ISBN: 9782863321966
Année de publication: 1996
Pages: 413-414
Type: Communication dans un congrès