Inversion charge modeling in n-type and p-type Double-Gate MOSFETs including quantum effects: The role of crystallographic orientation

  1. Balaguer, M.
  2. Roldán, J.B.
  3. Donetti, L.
  4. Gámiz, F.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 67

Nummer: 1

Seiten: 30-37

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.09.006 GOOGLE SCHOLAR
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