In-depth study of quantum effects in SOI DGMOSFETs for different crystallographic orientations

  1. Balaguer, M.
  2. Roldán, J.B.
  3. Gamiz, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2011

Volum: 58

Número: 12

Pàgines: 4438-4441

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2011.2168405 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus