In-depth study of quantum effects in SOI DGMOSFETs for different crystallographic orientations

  1. Balaguer, M.
  2. Roldán, J.B.
  3. Gamiz, F.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2011

Alea: 58

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 4438-4441

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2011.2168405 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus