In-depth study of quantum effects in SOI DGMOSFETs for different crystallographic orientations

  1. Balaguer, M.
  2. Roldán, J.B.
  3. Gamiz, F.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 58

Nummer: 12

Seiten: 4438-4441

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2011.2168405 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus