In-depth study of quantum effects in SOI DGMOSFETs for different crystallographic orientations
- Balaguer, M.
- Roldán, J.B.
- Gamiz, F.
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 2011
Volume: 58
Número: 12
Páxinas: 4438-4441
Tipo: Artigo
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 2011
Volume: 58
Número: 12
Páxinas: 4438-4441
Tipo: Artigo