Influence of orientation, geometry, and strain on electron distribution in silicon gate-all-around (GAA) MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 2011
Volum: 58
Número: 10
Pàgines: 3350-3357
Tipus: Article
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 2011
Volum: 58
Número: 10
Pàgines: 3350-3357
Tipus: Article