Influence of orientation, geometry, and strain on electron distribution in silicon gate-all-around (GAA) MOSFETs

  1. Tienda-Luna, I.M.
  2. Ruiz, F.J.G.
  3. Godoy, A.
  4. Biel, B.
  5. Gámiz, F.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 58

Nummer: 10

Seiten: 3350-3357

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2011.2162522 GOOGLE SCHOLAR

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