Influence of orientation, geometry, and strain on electron distribution in silicon gate-all-around (GAA) MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Argitalpen urtea: 2011
Alea: 58
Zenbakia: 10
Orrialdeak: 3350-3357
Mota: Artikulua
ISSN: 0018-9383
Argitalpen urtea: 2011
Alea: 58
Zenbakia: 10
Orrialdeak: 3350-3357
Mota: Artikulua