Influence of orientation, geometry, and strain on electron distribution in silicon gate-all-around (GAA) MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 2011
Volume: 58
Número: 10
Páxinas: 3350-3357
Tipo: Artigo
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 2011
Volume: 58
Número: 10
Páxinas: 3350-3357
Tipo: Artigo