Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs
ISSN: 0038-1101
Any de publicació: 2011
Volum: 59
Número: 1
Pàgines: 62-67
Tipus: Aportació congrés
ISSN: 0038-1101
Any de publicació: 2011
Volum: 59
Número: 1
Pàgines: 62-67
Tipus: Aportació congrés