Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs
ISSN: 0038-1101
Année de publication: 2011
Volumen: 59
Número: 1
Pages: 62-67
Type: Communication dans un congrès
ISSN: 0038-1101
Année de publication: 2011
Volumen: 59
Número: 1
Pages: 62-67
Type: Communication dans un congrès