Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs
ISSN: 0038-1101
Año de publicación: 2011
Volumen: 59
Número: 1
Páginas: 62-67
Tipo: Aportación congreso
ISSN: 0038-1101
Año de publicación: 2011
Volumen: 59
Número: 1
Páginas: 62-67
Tipo: Aportación congreso