Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs
ISSN: 0038-1101
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 59
Nummer: 1
Seiten: 62-67
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0038-1101
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 59
Nummer: 1
Seiten: 62-67
Art: Konferenz-Beitrag