Simulation of the electrostatic and transport properties of 3D-stacked GAA silicon nanowire FETs
ISSN: 0038-1101
Ano de publicación: 2011
Volume: 59
Número: 1
Páxinas: 62-67
Tipo: Achega congreso
ISSN: 0038-1101
Ano de publicación: 2011
Volume: 59
Número: 1
Páxinas: 62-67
Tipo: Achega congreso