Modeling the equivalent oxide thickness of Surrounding Gate SOI devices with high-κ insulators

  1. Tienda-Luna, I.M.
  2. García Ruiz, F.J.
  3. Donetti, L.
  4. Godoy, A.
  5. Gámiz, F.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 52

Nummer: 12

Seiten: 1854-1860

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2008.06.059 GOOGLE SCHOLAR
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