A comprehensive study of velocity overshoot effects in double gate silicon on insulator transistors
ISSN: 0268-1242
Año de publicación: 2004
Volumen: 19
Número: 3
Páginas: 393-398
Tipo: Artículo
ISSN: 0268-1242
Año de publicación: 2004
Volumen: 19
Número: 3
Páginas: 393-398
Tipo: Artículo