On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers
- Fischetti, M.V.
- Gámiz, F.
- Hänsch, W.
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2002
Volum: 92
Número: 12
Pàgines: 7320-7324
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 2002
Volum: 92
Número: 12
Pàgines: 7320-7324
Tipus: Article