On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers
- Fischetti, M.V.
- Gámiz, F.
- Hänsch, W.
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 2002
Alea: 92
Zenbakia: 12
Orrialdeak: 7320-7324
Mota: Artikulua
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics