On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers

  1. Fischetti, M.V.
  2. Gámiz, F.
  3. Hänsch, W.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 92

Nummer: 12

Seiten: 7320-7324

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1521796 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus