On the enhanced electron mobility in strained-silicon inversion layers

  1. Fischetti, M.V.
  2. Gámiz, F.
  3. Hänsch, W.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Ano de publicación: 2002

Volume: 92

Número: 12

Páxinas: 7320-7324

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.1521796 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus