Coulomb scattering model for ultrathin silicon-on-insulator inversion layers

  1. Gamiz, F.
  2. Jiménez-Molinos, F.
  3. Roldán, J.B.
  4. Cartujo-Cassinello, P.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2002

Volum: 80

Número: 20

Pàgines: 3835-3837

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1477623 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus