Coulomb scattering model for ultrathin silicon-on-insulator inversion layers
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2002
Ausgabe: 80
Nummer: 20
Seiten: 3835-3837
Art: Artikel
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2002
Ausgabe: 80
Nummer: 20
Seiten: 3835-3837
Art: Artikel