Coulomb scattering model for ultrathin silicon-on-insulator inversion layers
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 2002
Volume: 80
Número: 20
Páxinas: 3835-3837
Tipo: Artigo
ISSN: 0003-6951
Ano de publicación: 2002
Volume: 80
Número: 20
Páxinas: 3835-3837
Tipo: Artigo