Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures

  1. Jiménez-Molinos, F.
  2. Palma, A.
  3. Gámiz, F.
  4. Banqueri, J.
  5. López-Villanueva, J.A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2001

Volum: 90

Número: 7

Pàgines: 3396-3404

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1398603 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Font de les dades: Scopus