Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures

  1. Jiménez-Molinos, F.
  2. Palma, A.
  3. Gámiz, F.
  4. Banqueri, J.
  5. López-Villanueva, J.A.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 90

Zenbakia: 7

Orrialdeak: 3396-3404

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1398603 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Datuen iturria: Scopus