Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2001
Volume: 90
Número: 7
Páxinas: 3396-3404
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2001
Volume: 90
Número: 7
Páxinas: 3396-3404
Tipo: Artigo