Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures

  1. Jiménez-Molinos, F.
  2. Palma, A.
  3. Gámiz, F.
  4. Banqueri, J.
  5. López-Villanueva, J.A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 90

Nummer: 7

Seiten: 3396-3404

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1398603 GOOGLE SCHOLAR

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