Monte Carlo simulation of double-gate silicon-on-insulator inversion layers: The role of volume inversion

  1. Gamiz, F.
  2. Fischetti, M.V.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2001

Volum: 89

Número: 10

Pàgines: 5478-5487

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1358321 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus