Monte Carlo simulation of double-gate silicon-on-insulator inversion layers: The role of volume inversion

  1. Gamiz, F.
  2. Fischetti, M.V.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 89

Zenbakia: 10

Orrialdeak: 5478-5487

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1358321 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus