Monte Carlo simulation of double-gate silicon-on-insulator inversion layers: The role of volume inversion

  1. Gamiz, F.
  2. Fischetti, M.V.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 89

Nummer: 10

Seiten: 5478-5487

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1358321 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus