Monte Carlo simulation of double-gate silicon-on-insulator inversion layers: The role of volume inversion
- Gamiz, F.
- Fischetti, M.V.
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2001
Volume: 89
Número: 10
Páxinas: 5478-5487
Tipo: Artigo
Revista:
Journal of Applied Physics