Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. Cartujo-Cassinello, P.
  4. López-Villanueva, J.A.
  5. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 89

Nummer: 3

Seiten: 1764-1770

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1331076 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus