A Monte Carlo study on electron mobility in quantized cubic silicon carbide inversion layers
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1997
Volum: 81
Número: 10
Pàgines: 6857-6865
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1997
Volum: 81
Número: 10
Pàgines: 6857-6865
Tipus: Article