A Monte Carlo study on electron mobility in quantized cubic silicon carbide inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Roldán, J.B.
  3. López-Villanueva, J.A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 81

Nummer: 10

Seiten: 6857-6865

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.365245 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus