A Monte Carlo study on electron mobility in quantized cubic silicon carbide inversion layers
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1997
Volume: 81
Número: 10
Páxinas: 6857-6865
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1997
Volume: 81
Número: 10
Páxinas: 6857-6865
Tipo: Artigo