Electron transport properties of quantized silicon carbide inversion layers

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 26

Nummer: 3

Seiten: 203-207

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S11664-997-0151-3 GOOGLE SCHOLAR

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