Electron transport properties of quantized silicon carbide inversion layers

  1. Roldán, J.B.
  2. Gámiz, F.
  3. López Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
Aldizkaria:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Argitalpen urtea: 1997

Alea: 26

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 203-207

Mota: Artikulua

DOI: 10.1007/S11664-997-0151-3 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus