Electron transport properties of quantized silicon carbide inversion layers
ISSN: 0361-5235
Año de publicación: 1997
Volumen: 26
Número: 3
Páginas: 203-207
Tipo: Artículo
ISSN: 0361-5235
Año de publicación: 1997
Volumen: 26
Número: 3
Páginas: 203-207
Tipo: Artículo