Electron transport properties of quantized silicon carbide inversion layers
ISSN: 0361-5235
Ano de publicación: 1997
Volume: 26
Número: 3
Páxinas: 203-207
Tipo: Artigo
ISSN: 0361-5235
Ano de publicación: 1997
Volume: 26
Número: 3
Páxinas: 203-207
Tipo: Artigo