A New Holistic Model of 2-D Semiconductor FETs

  1. Marin, E.G.
  2. Bader, S.J.
  3. Jena, D.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2018

Volumen: 65

Número: 3

Páginas: 1239-1245

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2018.2797172 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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