Atilà Herms Berenguer-rekin lankidetzan egindako argitalpenak (5)

1986

  1. Analysis of the edge region photocapacitance at constant bias in Te-doped Al0.55Ga0.45As

    Solid State Electronics, Vol. 29, Núm. 7, pp. 759-766

  2. Dependence of the optical cross section of interface states on the photon energy at Si-SiO2 structures

    Surface Science, Vol. 168, Núm. 1-3, pp. 665-671

  3. Majority-carrier capture cross-section determination in the large deep-trap concentration cases

    Journal of Applied Physics, Vol. 59, Núm. 5, pp. 1562-1569

1982

  1. Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon on the gold to donor ratio

    Applied Physics Letters, Vol. 41, Núm. 7, pp. 656-658

1981

  1. Interpretación de la captura de electrones por efecto multifonón en el nivel B del GaAs

    III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981