Departamento
ELECTRÓNICA Y TECNOLOGÍA DE COMPUTADORES
Publicaciones (23) Publicaciones en las que ha participado algún/a investigador/a
1998
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A model for the drain current of deep submicrometer MOSFET's including electron-velocity overshoot
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 45, Núm. 10, pp. 2249-2251
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A β-SiC MOSFET Monte Carlo simulator including inversion layer quantization
VLSI Design, Vol. 8, Núm. 1-4, pp. 257-260
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An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on Si/sub x/Ge/sub 1-x/ MOSFETs
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 45, Núm. 4, pp. 993-995
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Descodificación de sonido encriptado mediante la utilización de un procesador digital de señal
SAAEI '98: V Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad Pública de Navarra, Pamplona, 15-18 de septiembre de 1998
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Development of a method for determining the dependence of the electron mobility on the longitudinal-electric field in MOSFETs
VLSI Design, Vol. 8, Núm. 1-4, pp. 261-264
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Diseño y test de circuitos digitales en lógica AND-EXOR
SAAEI '98: V Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad Pública de Navarra, Pamplona, 15-18 de septiembre de 1998
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Electron mobility in quantized β-SiC inversion layers
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Vol. 16, Núm. 3, pp. 1631-1633
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Energy dependence of the effective mass in the envelope-function approximation
Physica B: Condensed Matter, Vol. 253, Núm. 3-4, pp. 242-249
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Evaluación externa: propuesta y reflexiones sobre un modelo de evaluación de la calidad de la enseñanza
VI Congreso universitario de innovación educativa en las enseñanzas técnicas: comunicaciones y ponencias. Las Palmas de Gran Canaria. 9, 10 y 11 de septiembre de 1998
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I-V and small signal parameters modelling of ultrasubmicron MOSFETs including the significant electron-velocity overshoot effects, which are enhanced at low temperature
Journal De Physique. IV : JP, Vol. 8, Núm. 3
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Low temperature mobility improvement in high-mobility strained-Si/Si1-xGex multilayer MOSFETs
Journal De Physique. IV : JP, Vol. 8, Núm. 3
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Monte Carlo simulation of a submicron MOSFET including inversion layer quantization
VLSI Design, Vol. 6, Núm. 1-4, pp. 287-290
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Monte Carlo simulation of non-local transport effects in strained Si on relaxed Si1-xGex heterostructures
VLSI Design, Vol. 8, Núm. 1-4, pp. 253-256
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Monte carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 45, Núm. 5, pp. 1122-1126
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Multiscale analysis of 3D surface image: Application to clam shell characterization
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
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New short and efficient algorithm for testing random-access memories
Proceedings of the IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems
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Phonon-limited electron mobility in ultrathin silicon-on-insulator inversion layers
Journal of Applied Physics, Vol. 83, Núm. 9, pp. 4802-4806
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Pipelined Hogenauer CIC filters using field-programmable logic and residue number system
ICASSP, IEEE International Conference on Acoustics, Speech and Signal Processing - Proceedings
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Pipelined RNS multipliers: An application to scaling
Proceedings of the IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, Vol. 3, pp. 55-58
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RNS scaling based on pipelined multipliers for prime moduli
IEEE Workshop on Signal Processing Systems, SiPS: Design and Implementation