A model for the drain current of deep submicrometer MOSFET's including electron-velocity overshoot

  1. Roldân, J.B.
  2. Gâmiz, F.
  3. Lopez-Villanueva, J.A.
  4. Cartujo, P.
  5. Carceller, J.E.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 1998

Volumen: 45

Número: 10

Páginas: 2249-2251

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/16.725262 GOOGLE SCHOLAR
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