Influence of image force and many-body correction on electron mobility in ultrathin double gate silicon on insulator inversion layers

  1. Gámiz, F.
  2. Cartujo-Cassinello, P.
  3. Jiménez-Molinos, F.
  4. Carceller, J.E.
  5. Cartujo, P.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2003

Volumen: 83

Número: 15

Páginas: 3120-3122

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1619217 GOOGLE SCHOLAR
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