An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on Si/sub x/Ge/sub 1-x/ MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 1998
Volum: 45
Número: 4
Pàgines: 993-995
Tipus: Article
ISSN: 0018-9383
Any de publicació: 1998
Volum: 45
Número: 4
Pàgines: 993-995
Tipus: Article