An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on Si/sub x/Ge/sub 1-x/ MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Argitalpen urtea: 1998
Alea: 45
Zenbakia: 4
Orrialdeak: 993-995
Mota: Artikulua
ISSN: 0018-9383
Argitalpen urtea: 1998
Alea: 45
Zenbakia: 4
Orrialdeak: 993-995
Mota: Artikulua