An analytical model for the electron velocity overshoot effects in strained-Si on Si/sub x/Ge/sub 1-x/ MOSFETs
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 1998
Volume: 45
Número: 4
Páxinas: 993-995
Tipo: Artigo
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 1998
Volume: 45
Número: 4
Páxinas: 993-995
Tipo: Artigo